大日印が3日ぶり反発、次世代半導体に向けナノインプリント用テンプレートの量産体制強化
デジタル製品の記憶媒体で、近年需要が拡大している3D構造(メモリーセルを垂直に配置した構造)のNAND型フラッシュメモリーに関するもので、従来の投資に加えて約40億円を追加で投資し、回路パターンを形成する際に使用が見込まれるナノインプリントリソグラフィ(NIL)のテンプレート(型)の生産設備を増強するという。
出所:株式経済新聞(株式会社みんかぶ)
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