ロームが反発、GaNデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御IC技術を確立
電源ICで培った超高速パルス制御技術「Nano Pulse Control」を更に進化させ、制御パルス幅を従来の9ナノ秒から業界最高となる2ナノ秒まで大幅に向上することに成功したという。同技術を制御ICに搭載することで、GaNデバイスが持つ性能を最大限まで引き出す超高速駆動制御IC技術を確立。現在は同技術を用いた制御ICの製品化を進めており、23年後半に100V入力1ch DC-DCコントローラとしてサンプル出荷を開始する予定としている。
出所:MINKABU PRESS
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