豊田合が次世代パワー半導体向け「GaN基板の大口径化」に成功
GaNパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上(コスト低減)の実現に向けて、GaN基板の高品質化・大口径化が求められているが、同社と大阪大学は環境省が主導するプロジェクトで、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属のなかでGaNの結晶を成長させる手法(ナトリウムフラックス法)を活用し、世界最大級となる6インチを超える高品質なGaN基板(GaN種結晶)を作製したという。今後は、6インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化(6インチ以上)を進めるとしている。
出所:MINKABU PRESS
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