豊田合が次世代パワー半導体向け「ＧａＮ基板の大口径化」に成功
豊田合成<7282.T>がこの日の取引終了後、大阪大学と共同で窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた次世代パワー半導体（ＧａＮパワー半導体）向け基板の大口径化に成功したと発表した。
ＧａＮパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上（コスト低減）の実現に向けて、ＧａＮ基板の高品質化・大口径化が求められているが、同社と大阪大学は環境省が主導するプロジェクトで、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属のなかでＧａＮの結晶を成長させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し、世界最大級となる６インチを超える高品質なＧａＮ基板（ＧａＮ種結晶）を作製したという。今後は、６インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化（６インチ以上）を進めるとしている。
出所：MINKABU PRESS
ＧａＮパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上（コスト低減）の実現に向けて、ＧａＮ基板の高品質化・大口径化が求められているが、同社と大阪大学は環境省が主導するプロジェクトで、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属のなかでＧａＮの結晶を成長させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し、世界最大級となる６インチを超える高品質なＧａＮ基板（ＧａＮ種結晶）を作製したという。今後は、６インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化（６インチ以上）を進めるとしている。
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