Ｊディスプレが急伸、従来比４倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体ＴＦＴを実現

　ジャパンディスプレイ<6740.T>が急伸している。３０日の取引終了後、茂原工場（千葉県茂原市）の第６世代（Ｇ６）量産ラインで、従来の酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＯＳ－ＴＦＴ）技術に革新的な特性向上を実現するバックプレーン技術の開発に世界で初めて成功したと発表したことが好感されている。

　今回開発された新技術は、電界効果移動度が従来のＯＳ－ＴＦＴ技術と比較して２倍以上となる高移動度酸化物半導体技術及び４倍以上となる超高移動度酸化物半導体技術。新技術により有機ＥＬ製品を始めとするディスプレーデバイスの技術革新を飛躍的に加速させ、ディスプレーの低消費電力化や、高精細・高リフレッシュレート化によるメタバース・ディスプレーの映像リアリティーや臨場感の向上、透明ディスプレーの透明感・表示品位の向上に寄与するとしている。同社では２４年に量産を開始する予定で、開発中の次世代有機ＥＬとの組み合わせでウェアラブルデバイスを中心とした新製品をＧ６ラインで量産し、２６年３月期に約２５０億円、２７年３月期に約５００億円の売り上げを目指すとしている。

出所：MINKABU PRESS