Jディスプレが従来比4倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体TFTを実現

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最新投稿日時:2022/03/30 16:03 - 「Jディスプレが従来比4倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体TFTを実現」(みんかぶ)

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Jディスプレが従来比4倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体TFTを実現

配信元:みんかぶ
著者:MINKABU PRESS
投稿:2022/03/30 16:03
 ジャパンディスプレイ<6740.T>がこの日の取引終了後、茂原工場(千葉県茂原市)の第6世代(G6)量産ラインで、従来の酸化物半導体薄膜トランジスタ(OS-TFT)技術に革新的な特性向上を実現するバックプレーン技術の開発に世界で初めて成功したと発表した。

 今回開発された新技術は、電界効果移動度が従来のOS-TFT技術と比較して2倍以上となる高移動度酸化物半導体技術及び4倍以上となる超高移動度酸化物半導体技術。新技術により有機EL製品を始めとするディスプレーデバイスの技術革新を飛躍的に加速させ、ディスプレーの低消費電力化や、高精細・高リフレッシュレート化によるメタバース・ディスプレーの映像リアリティーや臨場感の向上、透明ディスプレーの透明感・表示品位の向上に寄与するとしている。同社では24年に量産を開始する予定で、開発中の次世代有機ELとの組み合わせでウェアラブルデバイスを中心とした新製品をG6ラインで量産し、26年3月期に約250億円、27年3月期に約500億円の売り上げを目指すとしている。

出所:MINKABU PRESS
配信元: みんかぶ

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