オキサイド---大幅に続伸、次世代パワー半導体材料SiC単結晶の工場建設、投資額4億円

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最新投稿日時:2022/02/28 09:33 - 「オキサイド---大幅に続伸、次世代パワー半導体材料SiC単結晶の工場建設、投資額4億円」(フィスコ)

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オキサイド---大幅に続伸、次世代パワー半導体材料SiC単結晶の工場建設、投資額4億円

配信元:フィスコ
投稿:2022/02/28 09:33
大幅に続伸。新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の公募事業「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」テーマにMipox<5381>などと共同で応募し、採択されたと発表している。採択を受け、次世代パワー半導体材料SiC単結晶の溶液法による育成技術開発及び量産化に向けた準備のため、山梨県北杜市に第5工場を建設する。投資額は概算で4億円。 <ST>
配信元: フィスコ

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