大日印が堅調推移、先端半導体向けナノインプリント用テンプレートを開発

　大日本印刷<7912.T>が堅調推移。同社は９日、半導体の回路パターン形成に使用するナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）向けに１．４ナノメートル（ナノは１０億分の１）世代相当のロジック半導体にも対応可能な回路線幅１０ナノメートルのテンプレートを開発したと発表した。製造コストの削減と環境負荷の低減を両立し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーや最先端ロジック半導体の微細化ニーズに対応する。半導体市場向け新製品の収益貢献の期待に加え、直近で国内証券会社による目標株価引き上げに動きがあったことも相まって、買いを誘う格好となった。

　ＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィーの一部工程の置き換え需要や、ＥＵＶリソグラフィーの生産プロセスを持たない顧客のニーズに対応。従来のＡｒＦ（フッ化アルゴン）液浸やＥＵＶなどの露光工程と比較し、電力消費量を約１０分の１に抑えることができるという。大日印は２０２７年の量産開始を目指し、３０年度にＮＩＬにおいて４０億円の売り上げ増加を目指す。

出所：MINKABU PRESS