OKIが7連騰、信越化と共同でGaNパワー半導体素材を低コストでつくる技術開発と報じられる◇
記事によると、新技術は独自基板の上に、ガリウム系のガスを吹き付けて結晶を成長させるとしており、信越化の結晶を厚くする技術に、OKIの接合技術を組み合わせることで基板から結晶だけを引きはがすという。結晶は別の基板に載せてパワー半導体のウエハーとして使う。従来の製法と比べ製造コストは10分の1以下にすることができるとしており、GaNパワー半導体の普及につながるとの期待が強まっている。
(注)タイトル末尾の「◇」は本文中に複数の銘柄を含む記事を表しています。
出所:MINKABU PRESS
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