キオクシア大幅続伸、AI需要に対応した北上工場第2製造棟が稼働
K2棟は、AIの普及などによる中長期的なフラッシュメモリー市場の拡大に備え、CBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を導入した第8世代3次元フラッシュメモリー製品(218層)、並びに今後も進化を続けるフラッシュメモリーの生産に対応。26年前半に本格的な出荷を開始し、市場動向にあわせて設備投資を継続することで生産能力を段階的に引き上げるとしている。
出所:MINKABU PRESS
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