テラスカイが大幅反発、シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明◇

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最新投稿日時:2026/01/14 10:50 - 「テラスカイが大幅反発、シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明◇」(みんかぶ)

テラスカイが大幅反発、シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明◇

配信元:みんかぶ
著者:MINKABU PRESS
投稿:2026/01/14 10:50
 テラスカイ<3915.T>が大幅高で3日ぶりに反発している。午前10時15分ごろ、子会社Quemixが三菱電機<6503.T>、東京科学大学、筑波大学と共同で、シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明したと発表しており、これを好材料視した買いが入っている。同メカニズムの解明により、シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献できるという。なお詳細は、ネイチャー出版社が運営する学術誌の「Communications Materials」誌で発表されている。

(注)タイトル末尾の「◇」は本文中に複数の銘柄を含む記事を表しています。

出所:MINKABU PRESS
配信元: みんかぶ

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