セ硝子が４日続伸、ＳｉＣ基板の新製法開発と報じられる

　セントラル硝子<4044.T>が４日続伸している。きょう付の日本経済新聞朝刊で「パワー半導体の先端素材である『炭化ケイ素（ＳｉＣ）』の基板の新製法を開発した」と報じられており、好材料視されている。

　記事によると、ケイ素と炭素を含む溶液からＳｉＣ基板を製造する方法で、高温で昇華させたＳｉＣを使って単結晶を成長させる従来の方法に対して基板サイズを大きくしたり品質を高めたりしやすいほか、基板の製造コストを１割以上削減でき、不良品率も大幅に削減することができるという。パワー半導体は、電気の流れをコントロールして無駄を抑えるデバイスで、電気自動車（ＥＶ）やデータセンター、小型家電など幅広い分野に使われている。ＳｉＣは現在主流のシリコンに比べてより高い電圧や電流、動作温度に耐えられることから市場が急拡大しており、新製法によるシェア獲得が期待されている。

出所：MINKABU PRESS