Jテック・Cは切り返し急、次世代パワー半導体向け研磨装置で業績変貌期待
昨年12月19日にはプラズマ援用研磨装置の開発機を受注したことを発表し注目を集めた。同装置は大阪大学の独自研磨技術を活用したもので、次世代パワー半導体材料であるSiCやGaN基板、単結晶ダイヤモンド基板を高速かつ高精度に平坦化することが可能となる。このほか次世代パワー半導体分野では、同社が東邦鋼機製作所(三重県四日市市)と共同開発した独自のCARE加工技術による研磨装置に期待が大きく、こちらも引き合いは旺盛で、会社側は受注獲得に向け積極的な姿勢を示している。同社は中期計画として2030年にCARE加工技術を使った半導体研磨装置の売上高を20億円にする目標を掲げており、実現すれば業績も様変わりする可能性がある。
出所:MINKABU PRESS
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