日立化成が３日続伸、高純度の酸化セリウム粒子系ＣＭＰスラリーの基本特許を取得

　日立化成<4217.T>が３日続伸。同社はこの日、半導体回路平坦化用研磨材料（ＣＭＰスラリー）の一種である、高純度の酸化セリウム粒子系ＣＭＰスラリーについて、基本となる特許第５８８２６５９号を取得したことを発表した。

　同社は、酸化セリウム粒子系ＣＭＰスラリーについて、研磨による半導体ウエハーへの傷（研磨傷）を抑制することが可能な高純度化技術を開発し、研磨傷の原因となるケイ素系不純物を１ｐｐｍ（１００万分の１）以下に低減し、研磨傷も同社従来品比較で７０％低減している。今回取得したのはその技術を用いた高純度の酸化セリウム粒子系ＣＭＰスラリーで、この開発技術を事業の差別化に活用していく。

出所：株式経済新聞（株式会社みんかぶ）