日立化成が3日続伸、高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーの基本特許を取得
同社は、酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて、研磨による半導体ウエハーへの傷(研磨傷)を抑制することが可能な高純度化技術を開発し、研磨傷の原因となるケイ素系不純物を1ppm(100万分の1)以下に低減し、研磨傷も同社従来品比較で70%低減している。今回取得したのはその技術を用いた高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーで、この開発技術を事業の差別化に活用していく。
出所:株式経済新聞(株式会社みんかぶ)
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