昭和電工は小反落、ＳｉＣパワー半導体が高温域でも安定的に動作する基板構造開発も目先売り

　昭和電工<4004.T>は小反落。同社は１９日、 大阪大学菅沼克昭教授とのプロジェクトで、ＳｉＣパワー半導体が３００度の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したことを発表したが株価は３日続伸後とあって目先売りに押されている。

　菅沼教授はアルミニウムの耐熱特性に着目、アルミ材料と実装技術を開発し、マイナス４０度から３００度の温度サイクル条件下でも欠陥が生じない材料構造を実現。 同社はＤＢＡ基板と冷却器の材料開発と接合（ろう付け）、基板構造全体の放熱設計において参画している。

出所：株式経済新聞（株式会社みんかぶ）